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A UNIBOND(R) wafer is an SOI wafer produced by Smart-Cut(R) technology. |
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excellent thickness uniformity of SOI layer.
low power & high speed LSIs in intelligent communication tools and MPU.
SEH signed a long term alliance with French company,
SOITEC, partner of the
inventor for SMART CUT(R)
process. |
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Standard SOI wafers Parameters
Diameter (mm)
SOI
thickness (nm)
uniformity (max-min)
type BOX
thickness(nm)
uniformity (max-min)
Base type HF defect, Secco defect
Pipe density
Roughness(nm)
(rms)
(max-min)
Metal contamination
(/cm2)
Edge exclusion(mm)
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Customized SOI wafers Parameters
Diameter (mm)
SOI
thickness (nm)
uniformity (max-min)
type BOX
thickness(nm)
uniformity (max-min)
Base type HF defect, Secco defect
Pipe density
Roughness(nm)
(rms)
(max-min)
Metal contamination
(/cm2)
Edge exclusion(mm)
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* For more information about
UNIBOND(R) wafer
outside Japan, please contact :
![]() UNIBOND(R) wafers from 100 mm to 300 mm
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